Sciences & technologie. B, Sciences de l’ingénieur
Volume 0, Numéro 24, Pages 31-36
2005-12-31

Influence Des Parametres Technologiques Sur Les Caracteristiques I-v Du Transistor Mesfet Gaas A Grille Courte.



Auteurs : Khemissi S . Merabtine N . Kenzai C . Benbouza M.s .

Résumé

Dans les sciences de l’information telle que l’informatique, les télécommunications, le traitement de la transmission des signaux ou d’images, les composants à effet de champ jouent un rôle primordial. Aussi nous nous intéressons dans le cadre de notre étude du transistor à effet de champ à grille Schottky submicronique à l’arséniure de gallium dit MESFET GaAs. Après une étude analytique des caractéristiques statiques du composant, suivant les différents régimes de fonctionnement, une simulation numérique est effectuée. L’influence des dimensions technologiques [ L, Z, a et Nd ] est étudiée. Les résultats obtenus permettent de déterminer les paramètres géométriques et physiques optimaux du composant en vue de leurs applications et utilisations spécifiques.

Mots clés

MESFET AsGa, Paramètres technologiques, éléments parasites, grille Schottky

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