Journal of Scientific Research
Volume 2, Numéro 3, Pages 3-6
2012-06-01

Les Caractéristiques électromagnétiques De Circuit Planaire Actif Intégrant Un Transistor Mesfet Par La Méthode Itérative Wave Concept Iterative Process Wcip

Auteurs : Amri H. . Zabbat M. . Draidi M. .

Résumé

L’analyse électromagnétique des circuits planaires actifs aux hautes fréquences est basée sur des plusieurs méthodes numériques de modélisation, dans notre communication on utilise une méthode itérative nommée WCIP (Wave Concept Iterative Process). Ce dernier est appliqué sur les circuits planaires pour caractériser les coefficients de réflexion et de diffraction des ondes électromagnétiques et analyser la fréquence de résonnance. Dans cette communication on va décrire dans un premier temps le principe du processus, puis nous présentons leurs applications sur un circuit intégrant un MESFET transistor.

Mots clés

Circuit Planaire ; Coefficient De Diffraction ; Coefficient De Transmission ; Méthode Itérative ; FMT ; MESFET ; Iris

Simulation Bidimensionnelle Des Caracteristiques I-v Du Transistor Mesfet Gaas

Merabtine N .  Khemissi S .  Kenzai C . 
pages 69-74.


A Comprehensive Nonlinear Model For Gaas Mesfet Transistor

Mellal Saida .  Azizi Cherifa .  Zaabat Mourad .  Ziar Toufik .  Kaddour Chahrazed .  Azizi Mounir . 
pages 12-17.


Influence Of The Edge Effects On The Mesfet Transistor Characteristics

Mellal Saida .  Azizi Cherifa .  Zaabat Mourad .  Ziar Toufik . 
pages 33-37.