Sciences & technologie. B, Sciences de l’ingénieur
Volume 0, Numéro 24, Pages 9-12
2005-12-31

Effet De La Polarisation Du Substrat Sur Les Proprietes Electriques Et Hyperfrequences Du Mesfet Gaas



Auteurs : Merabtine N . Belgat M . Zaabat M . Kenzai C . Saidi Y .

Résumé

Dans cet article on décrit l’effet de la polarisation du substrat sur les caractéristiques électriques du transistor à effet de champ à l’arséniure de gallium. Une analyse basée sur l’existence d’une double charge d’espace à l’interface couche active substrat- semi isolant est appliquée à la détermination des paramètres de la couche active et de l’interface. Les propriétés des caractéristiques du courant de drain et celles de l’admittance de sortie et les phénomènes physiques liés à cette interface sont attribués à la réponse dynamique de cette double charge d’espace.

Mots clés

MESFET GaAs, couche active, substrat semi-isolant.

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