Sciences & Technologie
Volume 0, Numéro 13, Pages 25-27
2000-06-30
Auteurs : Brihi N . Guergouri K .
L’effet des dislocations sur les propriétés électriques et optiques de CdTe de type n, pour les faces (111), est un sujet de très grand actualité. Sur des cristaux non intentionnellement dopés, on introduit des dislocations par microindentation. Les mesures de photoluminescence et de capacité-tension ont permis la constatation d’un phénomène de compensation, d’augmentation du gap et la spécification de la nature des défauts ponctuels existants.
Dislocations, microindentation, photoluminescence, mesures électriques, barrière de Schottky, rosette d'indentation
Hafdallah Abdelkader
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Ynineb Fayssal
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Daranfed Warda
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Attaf Nadhir
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Aida Mohamed Salah
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pages 25-27.
Belkhalfa H.
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Tala-ighil R.
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Sali S.
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Kermadi S.
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Sili S.
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Boumaour M.
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Tayour F.
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Ait Amar F.
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Si Ahmed Y.
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pages 347-354.
Haichour Amel
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Hamdadou Nasr-eddine
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pages 32-41.
Merabtine N
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Belgat M
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Zaabat M
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Kenzai C
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Saidi Y
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pages 9-12.
Rached Djaaffar
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Rahal Wassila Leila
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Dris Keltoum
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Madani Yssaad Habib
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pages 22-26.