Rеvuе des Energies Renouvelables
Volume 14, Numéro 4, Pages 649-664
2011-12-31

Modélisation à 3-d De L’influence De La Taille Des Grains Et De La Vitesse De Recombinaison Aux Joints De Grain Sur Une Photopile Au Silicium Poly Cristallin Sous éclairement Concentré



Auteurs : Zoungrana M. . Zerbo I. . Barro F.i. . Sam R. . Touré F. . Samb M.l. . Zougmoré F. .

Résumé

Dans cet article, nous présentons une modélisation à 3 dimensions de l’influence de la taille de grains, de la vitesse de recombinaison aux joints de grain et du champ électrique de gradient de concentration sur la distributions des porteurs de charge (électrons), les paramètres électriques (Jph, Vph, Pél) et électronique (Sb) d’une photopile au silicium polycristallin soumise à un éclairement multispectral intense. En effet, la prise en compte du champ électrique de gradient de concentration dans un modèle d’étude à 3- D nous a permis non seulement d’établir de nouvelles expressions de l’équation de continuité, du photo courant, de la photo tension, de la vitesse de recombinaison en face arrière de la base et de la puissance électrique, mais aussi elle nous a permis d’étudier l’influence de la taille de grain et de la vitesse de recombinaison en face arrière de la base sur ces paramètres précédemment cités.

Mots clés

Silicium polycristallin, Champ électrique, Eclairement intense, Photo courant, Photo tension, Vitesse de recombinaison, Puissance électrique.

Les articles similaires

Techniques De Détermination Des Paramètres De Recombinaison Et Le Domaine De Leur Validité D’une Photopile Bifaciale Au Silicium Polycristallin Sous éclairement Multi Spectral Constant En Régime Statique

Ly I. .  Lemrabott O.h. .  Dieng B. .  Gaye I. .  Gueye S. .  Diouf M.s. .  Sissoko G. . 
pages 187-206.

Influence D’une Onde électromagnétique Sur Une Photopile Au Silicium Sous éclairement Multi Spectral En Régime Statique

Zerbo I. .  Zoungrana M. .  Seré A.d. .  Ouedraogo F. .  Sam R. .  Zouma B. .  Zougmoré F. . 
pages 517-532.

Effet Du Coefficient De Réflexion Et De La Profonde De Jonction Sur Les Caractéristiques électriques D’une Photopile Au Silicium Monocristallin.

Hakim Chenoufi . 
pages 11-23.

Contribution à La Réduction De La Réflectivité Par Texturisation Acide Du Silicium Multi Cristallin Et Dépôt D’une Couche D’oxyde D’étain Non Dopé

Tala-ighil R. .  Boumaour M. .  Melhani K. .  Ait Amar F. .  Iratni A. . 
pages 277-280.

Influence Of Illumination Incidence Angle, Grain Size And Grain Boundary Recombination Velocity On The Facial Solar Cell Diffusion Capacitance

Deme M.m. .  Mbodji S. .  Ndoye S. .  Thiam A. .  Dieng A. .  Sissoko G. . 
pages 109-121.

Formats de citation