Rеvuе des Energies Renouvelables
Volume 11, Numéro 2, Pages 277-280
2008-06-30
Contribution à La Réduction De La Réflectivité Par Texturisation Acide Du Silicium Multi Cristallin Et Dépôt D’une Couche D’oxyde D’étain Non Dopé
Auteurs : Tala-ighil R. . Boumaour M. . Melhani K. . Ait Amar F. . Iratni A. .
Résumé
Le défi principal dans la réalisation des cellules solaires est l’augmentation du rendement de conversion sans surcoût additionnel dans le procédé de fabrication. Notre travail porte sur l’augmentation du rendement en améliorant le courant de court-circuit. Cela s’obtient en diminuant la réflectivité. Nous avons pris un substrat de silicium multi cristallin qui avait une réflectivité initiale de 35 %. Ensuite, on l’a texturé en utilisant une mixture acide à base de HF/HNO3/H2O pour atteindre une réflectivité moyenne pondérée au spectre AM1.5 de 9 %. Enfin, après adjonction de l’oxyde d’étain non dopé comme couche anti-reflet, nous avons pu atteindre une réflectivité moyenne de 3 % dans la plage de longueur d’onde de 600 à 1000 nm.
Mots clés
Silicium multi cristallin, Texturisation acide, SnO2, Réflectivité moyenne.
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