Rеvuе des Energies Renouvelables
Volume 15, Numéro 2, Pages 187-206
2012-06-30

Techniques De Détermination Des Paramètres De Recombinaison Et Le Domaine De Leur Validité D’une Photopile Bifaciale Au Silicium Polycristallin Sous éclairement Multi Spectral Constant En Régime Statique



Auteurs : Ly I. . Lemrabott O.h. . Dieng B. . Gaye I. . Gueye S. . Diouf M.s. . Sissoko G. .

Résumé

paramètres de recombinaison et le domaine de leur validité d’une photopile bifaciale au silicium poly cristallin sous éclairement multi spectral constant en régime statique. Partant de l’équation de continuité et suivant différents modes d’éclairements (faces avant et arrière, puis simultanément sur les deux faces), nous avons obtenu un certain nombre d’expressions théoriques de la photopile. A partir des études théorique et expérimentale, on déduit trois techniques donnant la longueur de diffusion effective Leff, les vitesses de recombinaison intrinsèques à la jonction Sfα et à la face arrière Sbα des porteurs minoritaires de charge pour les différents modes d’éclairement. Une étude des incertitudes sur la détermination de la longueur de diffusion effective a été présentée et elle a montré les limites d’applicabilité de ces techniques de caractérisation des photopiles

Mots clés

Bifacial, Recombination velocities, Polychromatic, Static regime, Diffusion length.

Les articles similaires

Influence D’une Onde électromagnétique Sur Une Photopile Au Silicium Sous éclairement Multi Spectral En Régime Statique

Zerbo I. .  Zoungrana M. .  Seré A.d. .  Ouedraogo F. .  Sam R. .  Zouma B. .  Zougmoré F. . 
pages 517-532.

Modélisation à 3-d De L’influence De La Taille Des Grains Et De La Vitesse De Recombinaison Aux Joints De Grain Sur Une Photopile Au Silicium Poly Cristallin Sous éclairement Concentré

Zoungrana M. .  Zerbo I. .  Barro F.i. .  Sam R. .  Touré F. .  Samb M.l. .  Zougmoré F. . 
pages 649-664.

Effet De La Frequence Dans La Determination Des Proprietes Optoelectroniques Du Silicium Amorphe Hydrogene Par La Technique De Photocourant Constant En Regime Periodique (ac-cpm)

Tibermacine T .  Meftah Am .  Meftah Af .  Merazga A . 
pages 55-62.

Effet Du Coefficient De Réflexion Et De La Profonde De Jonction Sur Les Caractéristiques électriques D’une Photopile Au Silicium Monocristallin.

Hakim Chenoufi . 
pages 11-23.

Modelisation De L’effet De La Passivation Arriere Et Frontale Pour L’optimisation Du Rendement D’une Cellule Solaire à Base De Silicium Polycristallin

Benloucif N .  Mansour F . 
pages 41-50.

Formats de citation