Communication science et technologie
Volume 4, Numéro 1, Pages 73-80
2006-01-01
Effets Des Conditions De Depôt Sur Les Proprietes Electriques Des Couches Minces D'oxyde De Zinc Et Mecanismes De Diffusion
Auteurs : A. Djelloul . R. A. Rabadallol .
Résumé
Les couches minces d'oxyde de zinc (ZnO) sont élaborées par la technique de transport en phase gazeuse il partir de la poudre de ZnO dans une atmosphère d'hydrogène. Les paramètres des couches ont été étudiés en utilisant les mesures d'effet Hall et de conductibilité électrique. Lorsque la température varie de 115 K à 500 K, quelles que soient les conditions d'obtention des couches de ZnO, la concentration des électrons augmente à cause de la forte solubilité des impuretés donneurs (Zn et H). Différents mécanismes limitent la mobilité des porteurs dans les films, et selon la température. chacun d'eux peut jouer 1II1 rôle déterminant. Suivant le domaine de température. le mécanisme de diffusion des électrons dans ZnO est une combinaison de diffusions par des impuretés neutres ou chargées et par les phono us. Pour les couches obtenues à la température T",hw""l situées entre 870 et 910 K et T,T('USl" comprise entre 990 et /000 K, les mesures électriques par effet Hall montrent que la mobilité des électrons atteint son maximum d'environ 640 eni' VI S•I vers /15 K et vaut 140 à 160 cm2 Vi S•I à 300 K.
Mots clés
Couches Minces. Oxyde de zinc. Dépôt Chimique en Phase Vapeur. Mobilité des électrons.
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