Sciences & technologie. A, sciences exactes
Volume 0, Numéro 21, Pages 55-59
2004-06-30
Application Du Modele "defect Pool" Pour La Simulation De La Photoconductivite Transitoire Dans Le A-si:h Intrinseque Et Dope Par Le Phosphore
Auteurs : Meftah A.f . Meftah A.m . Merazga A .
Résumé
Le profil d'énergie de la densité des états le long du gap du a-Si:H est déterminé conjointement par le modèle defect pool (MDP) et la queue de bande de conduction (QBC) calculée par la transformé de Fourier de la photoconductivité transitoire (PCT). La PCT obtenue par la simulation numérique est comparée avec les données expérimentales pour le cas du a-Si:H intrinsèque et le a-Si:H dopé par le phosphore. Les caractéristiques observées dans les courbes de la PCT à différentes températures permettent de calculer la fréquence d'émission au bord de la mobilité, le minimum de la queue de la QBC dans le a-Si:H intrinsèque et le pic de la bande des donneur dans le a-Si:H dopé
Mots clés
Densité des états, "Defect pool", photoconductivité transitoire
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