Sciences & technologie. A, sciences exactes
Volume 0, Numéro 21, Pages 41-47
2004-06-30
Auteurs : Djelloul A .
Nous avons étudié l’influence des conditions de dépôt de couches minces d’oxyde de zinc (ZnO) sur les propriétés électroniques. Ces couches sont déposées par la technique de transport en phase gazeuse sur des substrats en saphir (Al2O3) d’orientations (1010) , (0001) et (1120) . Les mesures électriques d’effet Hall, à 300K, montrent que la concentration et la mobilité des électrons sont comprises entre 2 1016 – 8.4 1018 cm-3 et 140 – 160 cm2V-1s-1, respectivement. Les résultats des mesures de la mobilité des électrons en fonction de le température montrent que différents mécanismes limitent la mobilité des électrons dans les films de ZnO.
Couches Minces. Oxyde de zinc. Dépôts Chimique en Phase Vapeur. Mobilité de Hall.
A. Djelloul
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R. A. Rabadallol
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pages 73-80.
Bouderbala M.
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Hamzaoui S.
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Adnane M.
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Sahraoui T.
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Zerdali M.
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pages 249-256.
Hafdallah Abdelkader
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Ynineb Fayssal
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Daranfed Warda
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Attaf Nadhir
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Aida Mohamed Salah
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pages 25-27.