Sciences & technologie. A, sciences exactes
Volume 0, Numéro 35, Pages 9-12
2012-06-30
A Monté Carlo Model For Simulating The Nitrogen Diffusion Effect Into B-lpcvd-nidos Polycrystalline Thin Films.
Auteurs : Allag S . Merabet S . Boukezzata M .
Résumé
L'objectif principal de notre travail actuel, est d'étudier l'influence de différent traitements de la surface qui permet d'améliorer les propriétés des matériaux par la technique de l’implantation d'ions (diffusion-implantation), sur la distribution des particules dans un semi-conducteur de la tendance de silicium polycristallin de notre étude, largement utilisé en micro-électronique. L'intérêt de cette étude est liée à des exigences incessantes dans l'industrie pour de plus en plus réduits, matériels performants et avec un prix de revient plus faible que possible. On a donc, fait une nitruration en phase gazeuse pendant la phase de dépôt LPCVD de silicium polycristallin, puis une implantation ionique avec des ions de bore. Les résultats obtenus, à partir d'une simulation basée sur la méthode de Monte Carlo, même si elles sont réalisées avec des quantités beaucoup plus faibles que les montants réellement introduites, étant donné la limitation de la machine utilisée, satisfait les prévisions établies au début et à nous encourager à poursuivre cette étude surtout du point de vue de l'utilisation de ce matériau, en particulier dans des domaines différents.
Mots clés
Monte Carlo simulation, LPCVD, Boron Implantation, Polycritalline silicon.
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