مجلة الواحات للبحوث و الدراسات
Volume 7, Numéro 2, Pages 24-30
2014-12-31
Auteurs : Nassour Abdelkader . Kandouci Malika . Abid Hamza . Naas Abderrahmane . Biteur Kada .
Cet article à pour but d’étudier des structures à effet quantique InAs/GaAs sous forme de boîtes quantiques comme couche active d'une diode laser. L’étude proprement dite est basée sur l’effet de la température sur les paramètres fonctionnels de ce nouveau dispositif (basse dimensionnalité). La boite quantique InAs/GaAs est de forme cubique. Un composant dont le fonctionnement est insensible à la température (ou dont la sensibilité est grandement réduite) peut s’affranchir du contrôle et permet de réduire le coût total de ce type de composant. A cet égard, nous avons optimisé ces paramètres de fonctionnement en fonction de la température tel que la longueur d’onde, le gain maximal et le courant de seuil par la méthode graphique.
matériaux; méthode graphique; température; longueur d’onde; courant de seuil; gain.
Negaz Mohamed
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Arafa Mohamed
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Idir Abdennour
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pages 1285-1300.
Khemissi S
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Merabtine N
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Kenzai C
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Benbouza M.s
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pages 31-36.
Benyelles Abdellatif
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Mimouni Nabila
.
Abdelmalek Mohammed
.
pages 11-15.
Berbagui Badreddine
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pages 986-996.
Singh Man Mohan
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Siddiqui Mohd. Jawaid
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Avi P. Ahmad
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pages 47-55.