Synthèse
Volume 14, Numéro 3, Pages 5-13
2008-01-31
Auteurs : Ghellai Nacera . Fekih Zakia . Otmani Fatma Zohra . Chabane-sari Nasser Eddine . Gabouze Noureddine .
L‘anodisation du silicium poreux dans des solutions d’acide hydrofluorique HF est une méthode acquise dans la préparation du silicium poreux avec des applications potentielles dans les domaines tels l’électronique, l’optique ainsi que la technologie chimique et celle des capteurs de gaz et des biocapteurs. Le contrôle de la densité de courant et du temps d’anodisation permet de modifier l’épaisseur et le taux de porosité de la couche du silicium poreux ainsi formé. Les échantillons du silicium nanoporeux sont préparés par anodisation électrochimique à partir du silicium monocristallin de type P, d’orientation (1,0,0) avec une faible résistivité de l’ordre de 1 Ωcm et d’épaisseur voisine de 400μm. Les caractéristiques morphologiques, optiques ainsi que la composition chimique de nos échantillons sont étudiées et analysées pour différentes conditions d’anodisation. Dans notre travail on a utilisé plusieurs techniques de caractérisations .Parmi ces techniques l’ellipsométrie. Pour comprendre le comportement optique de ce matériau, on utilise un modèle théorique basé sur l’approximation des milieux effectifs (modèle de bruggeman) afin de déterminer la relation entre l’indice de réfraction du film nanoporeux, sa porosité et son degré d’oxydation.
silicium poreux; nanoporeux; caractérisation; ellipsométrie; modèle de Bruggeman; indice de réfraction; porosité; degrés d’oxydation
Mellassi K
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Chafik El Idrissi M
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Chouiyakh A
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Rjeb A
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Barhdadi A
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pages 41-46.
Rached Djaaffar
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Rahal Wassila Leila
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Dris Keltoum
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Madani Yssaad Habib
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pages 22-26.
Barhdadi A.
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Amzil H.
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Muller J.c.
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pages 71-83.
Hakim Chenoufi
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pages 11-23.
Haillet Pierre Patrick
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pages 76-91.