Communication science et technologie
Volume 3, Numéro 1, Pages 1-6
2004-12-01
Cinetiques Complexes De Redistribution Et D'activation Du Bore Dans Des Films Minces De Polysilicium Tres Fortement Dopes.
Authors : Salait . Abadu . F. Mansour. .
Abstract
La diffusion transitoire el accélérée (TED) du dopant est un problème majeur pour la fabrication de composants microélectroniques et circuits intégrés. Ce/te diffusion est fortement influencée par l'évolution thermique des cinétiques complexes liés aux effets des très forts dopages créés au cours du recuit d'activation du dopant. Cependant, les modèles actuellement utilisés dans les simulateurs disponibles sur le marché ne tiennent pas compte de façon correcte des mécanismes complexes. Dans cette étude, nous décrivons un modèle théorique adapté aux très forts dopages. Ceci permettra de simuler et d'étudier les cinétiques complexes de redistribution et d'activation du bore introduit par implantation ionique à forte dose dans des films minces de polysilicium durant le traitement thermique post-implantation. Le tracé des profils simulés via ce modèle théorique et leur ajustement avec les profils S1A18 expérimentaux, mène à des résultats très encourageants et nous ont permis d'extraire des informations récentes sur les cinétiques complexes de répartition.
Keywords
modèle, redistribution, activation,bore, polysilicium.
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