Revue des matériaux et énergies renouvelables
Volume 4, Numéro 2, Pages 17-22
2021-03-01
Authors : Charane Hamid . Mahrane Achour . Masrane Abdelfettah . Mazouz Halima .
Ce travail consiste en la simulation et l’optimisation de l’épaisseur de l’émetteur de type N d’une cellule solaire mono-jonction à base de GaAs à l’aide de l’outil de simulation Silvaco TCAD. L’objectif principal de cette étude est l’amélioration du rendement des cellules solaires mono-jonction GaAs. Les propriétés physiques, optiques et électriques du matériau GaAs ainsi que les différents phénomènes physiques pouvant avoir lieu dans la structure de la cellule solaire GaAs ont été tenus en considération lors des simulations. La structure optimale de la cellule solaire mono-jonction GaAs obtenue présente, dans les conditions de fonctionnement standard (AM 1.5, 1000W/m2 et 300K), un rendement élevé de 28.56%. Par ailleurs, l’effet de la variation de l’épaisseur de l’émetteur sur les paramètres électriques de la cellule solaire a aussi été étudié.
cellule solaire mono-jonction ; GaAs ; épaisseur de l‘émetteur ; rendement
Benloucif N
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Mansour F
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pages 41-50.
Selmane Naceur
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Khemloul Fakhereddine
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pages 51-60.
Khelifi S.
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Belghachi A.
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pages 13-21.
Ben Slimane H.
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Helmaoui A.
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pages 259-266.
Benbouzid Zineb
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Rahal Wassila Leila
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Rached Djaaffar
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Benstaali Wafa
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Hassini Noureddine
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pages 19-25.